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ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產

http://m.sharifulalam.com 2025-05-28 09:24 來源:羅姆半導體

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用,可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動,有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。

新產品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作中,使用本產品可將器件與控制電路隔離,從而確保信號的安全傳輸。

新產品通過采用ROHM自主開發的片上隔離技術,有效降低寄生電容,實現高達2MHz的高頻驅動。通過充分發揮GaN器件的高速開關特性,不僅有助于應用產品更加節能和實現更高性能,還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外,隔離型柵極驅動器IC的抗擾度指標——共模瞬態抗擾度(CMTI)*1達到150V/ns(納秒),是以往產品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT開關時令人困擾的高轉換速率引發的誤動作,從而有助于系統實現穩定的控制。最小脈沖寬度較以往產品縮減33%,導通時間縮短至僅65ns。因此,雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比,從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅動電壓范圍為4.5V~6.0V,絕緣耐壓為2500Vrms,新產品可充分激發出各種高耐壓GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列產品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA(最大值),達到業界超低功耗水平,另外還可有效降低待機功耗。

新產品已于2025年3月開始量產(樣品價格:600日元/個,不含稅)。另外,新產品也已開始網售,通過電商平臺均可購買。

EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商標或注冊商標。

<開發背景>

在全球能源消耗逐年攀升的背景下,節能對策已成為世界各國共同面臨的課題。尤其值得注意的是,據調查“電機”和“電源”消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善“電機”和“電源”效率的關鍵在于采用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料制造的、負責功率控制和轉換的新一代功率器件。

ROHM充分發揮其在硅半導體和SiC隔離型柵極驅動器IC開發過程中積累的技術優勢,成功開發出第一波產品——專為GaN器件驅動而優化的隔離型柵極驅動器IC。未來,ROHM將配套提供GaN器件驅動用的柵極驅動器IC與GaN器件,為應用產品的設計提供更多便利。

<應用示例>

◇工業設備:光伏逆變器、ESS(儲能系統)、通信基站、服務器、工業電機等的電源

◇消費電子:白色家電、AC適配器(USB充電器)、電腦、電視、冰箱、空調

<術語解說>

*1) 共模瞬態抗擾度(CMTI)

隔離型柵極驅動器的主要參數之一,指產品對短時間內發生的電壓急劇變化的耐受能力。特別是驅動GaN HEMT等轉換速率較高的器件時,容易產生急劇的電壓變化,通過采用CMTI性能優異的柵極驅動器,可有效防止器件損壞,并降低電路的短路風險。

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