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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

-四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度-

http://m.sharifulalam.com 2025-05-20 16:09 來源:東芝

中國上海,2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。

四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體積減小90%以上,并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件,從而降低開關損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝,支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內部源極線電感的影響,實現高速開關性能;以TW054V65C為例,與東芝現有產品相比[5],其開通損耗降低了約55%,關斷損耗降低約25%[4],有助于降低設備中的功率損耗。

未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線,為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。

測量條件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部柵極電阻)=4.7Ω

續流二極管采用各產品源極和漏極之間的二極管。(截至2025年5月,東芝對比結果)

圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗(Eon)和關斷損耗(Eoff)比較

應用:

-服務器、數據中心、通信設備等的開關電源

-電動汽車充電站

-光伏逆變器

-不間斷電源

特性:

-DFN8×8表面貼裝封裝,實現設備小型化和自動化組裝,低開關損耗

-東芝第3代SiC MOSFET

-通過優化漂移電阻和溝道電阻比,實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性

-低漏源導通電阻×柵漏電荷

-低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)

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