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Vishay 新款具有領先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性

這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W,并配有易于吸附焊錫的側翼,從而改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性

http://m.sharifulalam.com 2025-05-30 09:18 來源:威世科技

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款采用無引線鍵合(BWL)封裝并具有業(yè)內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW,旨在提高工業(yè)應用的效率。與相同尺寸的競品器件相比,Vishay Siliconix SiEH4800EW的導通電阻低15 %,而RthJC低18 %。

日前發(fā)布的器件在10 V下的導通電子典型值為0.88 m,最大限度降低了傳導造成的功率損耗,從而提高了效率,同時以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了熱性能。這款節(jié)省空間的器件體積為8 mm x 8 mm,與采用TO-263封裝的MOSFET相比,PCB面積減少50 %,而且其厚度僅為1 mm。

SiEH4800EW采用融合的焊盤,將源焊盤的可焊面積增加到3.35 mm2,比傳統(tǒng)PIN焊接面積大四倍。這降低了MOSFET和PCB之間的電流密度,從而降低了電遷移的風險,使設計更加可靠。此外,器件易于吸附焊錫的側翼增強了可焊性,同時更容易通過目視檢查焊點的可靠性。

這款MOSFET的常適合同步整流和Oring應用。典型應用包括電機驅動控制器、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和3D打印機。在這些應用中,該器件可在+175 ℃的高溫下工作,而其BWL設計可將寄生電感降至最低,同時使電流能力最大化。

MOSFET符合RoHS標準,無鹵素,并且經(jīng)過100 %的Rg和UIS測試。

對比表:D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW對比

SiEH4800EW現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為13周。

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