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Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封裝,RthJC低至0.45 C/W,ID高達144 A,從而提高功率密度

http://m.sharifulalam.com 2024-11-21 09:33 來源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET® Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工業和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %,導通電阻和柵極電荷乘積(功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數(FOM)降低了15.4 %,RthJC降低了62.5 %,而連續漏極電流增加了179 %。

日前發布的器件具有業內先進的導通電阻(10 V 時為 5.6 m)以及導通電阻和柵極電荷乘積FOM(336 m*nC),可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此,設計人員能夠提高效率,滿足下一代電源的要求,例如6 kW AI服務器電源系統。此外,PowerPAK SO-8S封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC,可實現高達144 A的持續漏極電流,從而提高功率密度,同時提供強大的SOA能力。

SiRS5700DP非常適合同步整流、DC/DC轉換、熱插拔開關和OR-ing功能。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲;通信電源;太陽能逆變器;電機驅動和電動工具;以及電池管理系統。MOSFET符合RoHS標準且無鹵素,經過100 % Rg和UIS測試,符合IPC-9701標準,可實現更加可靠的溫度循環。器件的標準尺寸為6 mm × 5 mm,完全兼容PowerPAK SO-8封裝。

SiRS5700DP現可提供樣品并已實現量產。關于訂貨周期信息,請聯系您當地的銷售辦事處。

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