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http://m.sharifulalam.com 2024-03-19 09:17 來源：半導體前沿

據(jù)日經網消息，三菱電機將于4月開始在熊本縣菊池市建設新SiC廠房。

三菱電機將投資約1,000億日元（折合人民幣約48.56億元）來生產具有高節(jié)能性能的碳化硅（SiC）功率半導體，該廠房計劃于2026年4月投入運營。三菱電機表示，與2022年相比，公司2026年的晶片產能將擴大約5倍。

據(jù)介紹，新大樓共六層，總建筑面積約42,000平方米。它具備生產直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶圓的功率半導體的前端工藝。所有的工序將接入自動輸送系統(tǒng)，打造高效率生產線。三菱電機計劃根據(jù)不斷增長的需求逐步提高產能。

在當天舉行的奠基儀式上，三菱電機高級執(zhí)行官、半導體和器件部門總經理Masayoshi Takemi強調：“功率半導體將在實現(xiàn)脫碳社會方面發(fā)揮重要作用。作為一家專門生產SiC晶片的新工廠，我們也在考慮節(jié)能節(jié)水事宜”。

在電動汽車（EV）普及的背景下，三菱電機決定建設新工廠，是為了滿足市場對功率半導體日益增長的需求。

值得一提的是，該工廠已經“綁定”了Coherent（前 II-VI ）的碳化硅襯底產能——2023年5月，三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4H SiC襯底，雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產規(guī)模。

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